SK hynix начала обсуждать с поставщиками материалов и оборудования производство памяти iHBM. Об этом 21 октября сообщили отраслевые источники, в том числе представитель одного из партнёров компании.
Технологию iHBM представили в мае. В корпус памяти добавляют элементы ICE из материала на основе кремния: он проводит тепло, но не электрический ток. Их размещают у интерфейса D2D PHY, через который основание HBM обменивается данными с ускорителем. Так тепло получает дополнительный выход, вместо того чтобы проходить только через расположенные сверху кристаллы DRAM. По оценке SK hynix, тепловое сопротивление снижается примерно на 30%.
Для iHBM предусмотрен процесс упаковки на уровне пластины с использованием MR-MUF. SK hynix уже применяет этот метод при сборке многослойной памяти. Компания заявляет о совместимости решения с существующими конструкциями SiP, что позволяет обойтись небольшими изменениями в компоновке.
SK hynix планирует использовать iHBM в следующих поколениях памяти, включая HBM5. Отраслевые источники связывают её появление с 2029 годом. Сотрудничество с TSMC по проверке HBM5 на основе упаковки CoWoS компания подтвердила ещё в сентябре.
