Samsung может использовать 3-нм техпроцесс TSMC для базового кристалла памяти NVIDIA NVHBM. По неподтверждённым данным, NVIDIA попросила Samsung, SK hynix и Micron применять одинаковый производственный процесс для этой части памяти. Компаниям также предложено использовать DRAM поколения 1c для кристаллов, в которых хранятся данные.
Базовый кристалл находится в основании многослойной памяти и отвечает за её взаимодействие с вычислительным чипом. Унификация должна помочь получить одинаковые характеристики NVHBM у разных поставщиков и сократить объём отдельных проверок каждой реализации. Утверждается, что Samsung согласилась на предложенную схему, хотя обычно сама производит обе части HBM.
Сама технология NVHBM уже представлена официально. Она переносит контроллер памяти с вычислительного чипа в основание стека HBM. NVIDIA заявляет до 30% большей пропускной способности и до 15% меньшего энергопотребления памяти по сравнению со стандартной HBM4E.
По тем же неподтверждённым данным, изменения не означают отказа Samsung от собственного производства обычной HBM: для стандартных HBM4 и HBM4E компания сохранит свою схему. Кроме того, Samsung якобы проверяет возможность выпускать базовый кристалл NVHBM и на собственных мощностях на случай, если спрос превысит возможности TSMC.
